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PhotoMOS CC TSON 低C×R


额定

1.绝对最大额定值(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 低导通电阻 低输出端子间容量 备注
AQY2C1R6P AQY2C1R2P AQY2C2R2P AQY2C1R3P AQY2C5R3P


输入电压 VIN 5.5 V
输入反向电压 VRIN 0.2 V
允许损耗 Pin 1.2 mW


负载电压 VL 30 V 40 V 60 V 40 V 100 V
连续负载
电流
IL 0.75 A 0.3 A 0.3 A 0.1 A 0.12 A 峰值AC,DC
峰值负载
电流
Ipeak 1.5 A 0.75 A 0.9 A 0.3 A 0.3 A 100 ms (1shot)
VL=DC
输出损耗 Pout 250 mW
全部允许损耗 PT 250 mW
耐电压 Viso 200 Vrms
使用环境温度 Topr -40~+105°C (但应无结冰、
凝露)
保存温度 Tstg -40~+125°C

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2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 低导通电阻 低输出端子间容量 测定条件
AQY2C1R6P AQY2C1R2P AQY2C2R2P AQY2C1R3P AQY2C5R3P
输入 动作电压 平均
VFon
1.7 V 1.8 V 1.7 V 2.2 V 2.0 V ⊿VIN/⊿t ≥ 100 mV/ms
AQY2C1R6P: IL=100 mA
AQY2C1R2P: IL=300 mA
AQY2C2R2P: IL=300 mA
AQY2C1R3P: IL=80 mA
AQY2C5R3P: IL=80 mA
最大 2.5 V
复位电压 最小
VFoff
0.5 V
平均 1.5 V 1.4 V 1.5 V
输入电流 平均 IIN 0.04 mA VIN=3.3 V
最大 0.1 mA
平均 0.09 mA VIN=5 V
最大 0.2 mA
输出 导通电阻 平均
Ron
0.22 Ω 0.9 Ω 1 Ω 12.5 Ω 9.5 Ω AQY2C1R6P :VIN=3.3 V, IL=750 mA
AQY2C1R2P: VIN=3.3 V, IL=300 mA
AQY2C2R2P: VIN=3.3 V, IL=300 mA
AQY2C1R3P: VIN=3.3 V, IL=80 mA
AQY2C5R3P: VIN=3.3 V, IL=80 mA
通电时间=1秒以下
最大 - - - - -
平均 0.2 Ω 0.8 Ω 0.9 Ω 10.5 Ω 9 Ω AQY2C1R6P :VIN=5 V, IL=750 mA
AQY2C1R2P: VIN=5 V, IL=300 mA
AQY2C2R2P: VIN=5 V, IL=300 mA
AQY2C1R3P: VIN=5 V, IL=80 mA
AQY2C5R3P: VIN=5 V, IL=80 mA
通电时间=1秒以下
最大 0.4 Ω 1.5 Ω 15 Ω 14 Ω
输出端子间容量 平均 Cout 40 pF 14.5 pF 27 pF 1.2 pF 5.8 pF VIN=0 V, VB=0 V, f=1 MHz
最大 100 pF 18 pF 40 pF 2 pF 8 pF
开路状态漏电流 最大 ILeak 10 nA VIN=0 V, VL=Max.
传输特性 动作时间 平均
Ton
0.25 ms 0.15 ms 0.18 ms 0.02 ms 0.06 ms AQY2C1R6P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R2P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C2R2P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R3P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=125 Ω
AQY2C5R3P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=125 Ω
最大 1.0 ms 0.2 ms 0.5 ms
平均 0.12 ms 0.06 ms 0.08 ms 0.01 ms 0.03 ms AQY2C1R6P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R2P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C2R2P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R3P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=125 Ω
AQY2C5R3P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=125 Ω
最大 0.5 ms 0.1 ms 0.2 ms
复位时间 平均
Toff
0.06 ms 0.04 ms 0.06 ms 0.01 ms 0.02 ms AQY2C1R6P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R2P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C2R2P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R3P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=125 Ω
AQY2C5R3P: VIN=3.3 V, VL=10 V, RL=125 Ω
最大 0.2 ms 0.1 ms 0.2 ms
平均 0.1 ms 0.06 ms 0.1 ms 0.02 ms 0.04 ms AQY2C1R6P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R2P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C2R2P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=100 Ω
AQY2C1R3P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=125 Ω
AQY2C5R3P: VIN=5 V, VL=10 V, RL=125 Ω
最大 0.5 ms 0.2 ms 0.5 ms
输入/输出
端子间容量
平均 Ciso 1.2 pF f=1 MHz, VB=0 V
最大 3 pF
动作·复位时间
动作·复位时间

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3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。
因为这些使用条件会受使用环境影响,所以请结合产品规格各项目内容进行确认。
另外,由于输出端波形的影响,有时会无法获得预期性能。请参考PhotoMOS的使用注意事项。

项目 符号 最小 最大 单位
输入电压
VIN 3 5 V
AQY2C1R6P 负载电压(峰值AC) VL - 15 V
连续负载电流 IL - 0.75 A
AQY2C1R2P 负载电压(峰值AC) VL - 15 V
连续负载电流 IL - 0.3 A
AQY2C2R2P 负载电压(峰值AC) VL - 30 V
连续负载电流 IL - 0.3 A
AQY2C1R3P 负载电压(峰值AC) VL - 15 V
连续负载电流 IL - 0.1 A
AQY2C5R3P 负载电压(峰值AC) VL - 50 V
连续负载电流 IL - 0.12 A

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