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PhotoMOS CC TSON 低C×R

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 低C×R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE 1a (4脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a (6脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GE 1b (4脚型) 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 1b (6脚型) 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GU 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU 1a 电流限制功能 (4脚型) 附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU 1a 高容量 (4脚型) 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU 带短路保护功能非闭锁型 (6脚型) 实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU SOP 1a (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，小型尺寸（SOP4脚型），通用1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1a 带限流功能型 (4脚型) 附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 低导通电阻低导通电阻小型（SOP 4pin）负载电压200V
- PhotoMOS GU SOP 1a 带短路保护功能闭锁型 (4脚型) 附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS GU SOP 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2b (8脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS HE 1a DIP6 (5脚型) 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE 1a (6脚型) 低导通电阻和经济性两者兼备
- PhotoMOS HE 1a 高容量可实现最大3.5A的高电流控制
- PhotoMOS HE 1a 高容量 (6脚型) 通过采用新一代MOS实现2A～3A高容量控制
- PhotoMOS HE 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量可实现最大3.3A (AQV252G3S), 2.2A (AQV255G3S)的高电流控制、小型封装
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量 (6脚型) 小型(SOP6脚型)下实现3A控制
- PhotoMOS HF 1a (6脚型) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF 1a 高容量负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 高容量小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS 1a (6脚型) 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP 1a (4脚型) 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS PD 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- PhotoMOS 功率 1a 可实现功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a 高容量可实现最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a DC 高容量可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS 功率 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS 功率 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- PhotoMOS RF SON C×R5 小型低高度SON封装、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SON C×R10 小型低高度SON封装、C×R10：负载电压40V
- PhotoMOS RF SOP 1a 低C×R (4脚型) 低C×R的小型(SOP4脚型)、负载电压60V/80V
- PhotoMOS RF SOP 1a C×R10 (4脚型) C×R10的小型(SOP4脚型)、负载电压40V
- PhotoMOS RF 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF 2a 低导通电阻低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP 2a 低导通电阻低导通电阻的小型(SOP8脚型)、负载电压200V 2a型
- PhotoMOS RF SOP 2a 低C×R 低C×R的小型(SOP8脚型)、负载电压250V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 4a 低C×R 低C×R的小型(SOP16脚型)、负载电压80V、4a型
- PhotoMOS RF SOP 4a C×R10 低C×R10的小型(SOP16脚型)、负载电压40V、4a型
- PhotoMOS RF SSOP 低C×R 低C×R型、SSOP、负载电压60V/80V/100V
- PhotoMOS RF SSOP C×R3 C×R3型、SSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF SSOP C×R5 小型SSOP、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SSOP C×R10 小型SSOP、C×R10：负载电压30V、40V
- PhotoMOS RF VSSOP 低C×R C×R型、VSSOP、负载电压 60V / 100V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R3 C×R3型、VSSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R5 安装底面积 4.6mm² C×R5 负载电压25V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R10 安装底面积4.6mm² C×R10 负载电压30V/40V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

额定・性能概要

尺寸图

额定

1.绝对最大额定值（测定条件环境温度：25℃）

项目		符号	低导通电阻			低输出端子间容量		备注
项目		符号	AQY2C1R6P	AQY2C1R2P	AQY2C2R2P	AQY2C1R3P	AQY2C5R3P	备注
输入端	输入电压	V_IN	5.5 V
	输入反向电压	V_RIN	0.2 V
	允许损耗	P_in	1.2 mW
输出端	负载电压	V_L	30 V	40 V	60 V	40 V	100 V
	连续负载电流	I_L	0.75 A	0.3 A	0.3 A	0.1 A	0.12 A	峰值AC，DC
	峰值负载电流	I_peak	1.5 A	0.75 A	0.9 A	0.3 A	0.3 A	100 ms (1shot) V_L=DC
	输出损耗	P_out	250 mW
全部允许损耗		P_T	250 mW
耐电压		V_iso	200 Vrms
使用环境温度		T_opr	-40～+105°C					(但应无结冰、凝露)
保存温度		T_stg	-40～+125°C

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2.性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	低导通电阻			低输出端子间容量		测定条件
项目			符号	AQY2C1R6P	AQY2C1R2P	AQY2C2R2P	AQY2C1R3P	AQY2C5R3P	测定条件
输入	动作电压	平均	V_Fon	1.7 V	1.8 V	1.7 V	2.2 V	2.0 V	⊿V_IN/⊿t ≥ 100 mV/ms AQY2C1R6P: I_L=100 mA AQY2C1R2P: I_L=300 mA AQY2C2R2P: I_L=300 mA AQY2C1R3P: I_L=80 mA AQY2C5R3P: I_L=80 mA
	动作电压	最大	V_Fon	2.5 V
	复位电压	最小	V_Foff	0.5 V
	复位电压	平均	V_Foff	1.5 V	1.4 V		1.5 V
	输入电流	平均	I_IN	0.04 mA					V_IN=3.3 V
		最大		0.1 mA					V_IN=3.3 V
		平均		0.09 mA					V_IN=5 V
		最大		0.2 mA					V_IN=5 V
输出	导通电阻	平均	R_on	0.22 Ω	0.9 Ω	1 Ω	12.5 Ω	9.5 Ω	AQY2C1R6P :V_IN=3.3 V, I_L=750 mA AQY2C1R2P: V_IN=3.3 V, I_L=300 mA AQY2C2R2P: V_IN=3.3 V, I_L=300 mA AQY2C1R3P: V_IN=3.3 V, I_L=80 mA AQY2C5R3P: V_IN=3.3 V, I_L=80 mA 通电时间=1秒以下
		最大		-	-	-	-	-
		平均		0.2 Ω	0.8 Ω	0.9 Ω	10.5 Ω	9 Ω	AQY2C1R6P :V_IN=5 V, I_L=750 mA AQY2C1R2P: V_IN=5 V, I_L=300 mA AQY2C2R2P: V_IN=5 V, I_L=300 mA AQY2C1R3P: V_IN=5 V, I_L=80 mA AQY2C5R3P: V_IN=5 V, I_L=80 mA 通电时间=1秒以下
		最大		0.4 Ω	1.5 Ω		15 Ω	14 Ω
	输出端子间容量	平均	C_out	40 pF	14.5 pF	27 pF	1.2 pF	5.8 pF	V_IN=0 V, V_B=0 V, f=1 MHz
	输出端子间容量	最大	C_out	100 pF	18 pF	40 pF	2 pF	8 pF	V_IN=0 V, V_B=0 V, f=1 MHz
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	10 nA					V_IN=0 V, V_L=Max.
传输特性	动作时间_※	平均	T_on	0.25 ms	0.15 ms	0.18 ms	0.02 ms	0.06 ms	AQY2C1R6P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R2P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C2R2P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R3P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω AQY2C5R3P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω
		最大		1.0 ms			0.2 ms	0.5 ms
		平均		0.12 ms	0.06 ms	0.08 ms	0.01 ms	0.03 ms	AQY2C1R6P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R2P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C2R2P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R3P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω AQY2C5R3P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω
		最大		0.5 ms			0.1 ms	0.2 ms
	复位时间_※	平均	T_off	0.06 ms	0.04 ms	0.06 ms	0.01 ms	0.02 ms	AQY2C1R6P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R2P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C2R2P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R3P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω AQY2C5R3P: V_IN=3.3 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω
		最大		0.2 ms			0.1 ms	0.2 ms
		平均		0.1 ms	0.06 ms	0.1 ms	0.02 ms	0.04 ms	AQY2C1R6P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R2P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C2R2P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=100 Ω AQY2C1R3P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω AQY2C5R3P: V_IN=5 V, V_L=10 V, R_L=125 Ω
		最大		0.5 ms			0.2 ms	0.5 ms
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	1.2 pF					f=1 MHz, V_B=0 V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	3 pF					f=1 MHz, V_B=0 V

※	动作·复位时间

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3.建议动作条件（测定条件环境温度：25℃）

为了正确地使输出光电耦合器动作、复位，请按以下条件进行使用。
因为这些使用条件会受使用环境影响，所以请结合产品规格各项目内容进行确认。
另外，由于输出端波形的影响，有时会无法获得预期性能。请参考PhotoMOS的使用注意事项。

项目		符号	最小	最大	单位
输入电压		V_IN	3	5	V
AQY2C1R6P	负载电压(峰值AC)	V_L	-	15	V
AQY2C1R6P	连续负载电流	I_L	-	0.75	A
AQY2C1R2P	负载电压(峰值AC)	V_L	-	15	V
AQY2C1R2P	连续负载电流	I_L	-	0.3	A
AQY2C2R2P	负载电压(峰值AC)	V_L	-	30	V
AQY2C2R2P	连续负载电流	I_L	-	0.3	A
AQY2C1R3P	负载电压(峰值AC)	V_L	-	15	V
AQY2C1R3P	连续负载电流	I_L	-	0.1	A
AQY2C5R3P	负载电压(峰值AC)	V_L	-	50	V
AQY2C5R3P	连续负载电流	I_L	-	0.12	A