Panasonic 松下电器 China

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PhotoMOS Power SIL4 W4.5 mm 1a

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 1a 低C × R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE DIP4 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP6 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP4 1b 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP6 1b 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP8 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE DIP8 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GE DIP8 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GU DIP4 1a 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU DIP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU DIP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU DIP6 1a 带短路保护功能非闭锁型实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU DIP4 1a 带电流限制功能附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 40 V, 60 V ) ( 1.0 ～ 1.8 A ) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 60 ～ 400 V ) ( 0.1 ～ 0.8 A ) 可控制微小模拟信号通用小型1a型 ( SOP4-pin )
- PhotoMOS GU SOP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带限流功能附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带短路保护功能闭锁型附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS HE DIP6 1a 可实现系列Max. 3.5 A的高电流控制以及Max. 1,500 V的高电压控制
- PhotoMOS HE DIP6 ( 5-pin ) 1a 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE DIP6 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE DIP8 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE DIP8 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE DIP8 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE SOP6 1a 可实现系列Max. 3.3 A的高电流控制的小型封装
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 40 ～ 400 V ) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 1,200 V ) 负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS DIP6 1a 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP4 1a 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD Power DIP4 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- Power SIL4 W3.5 mm 可实现系列Max. 6 A功率控制的窄长SIL结构
- PhotoMOS Power SIL4 W4.5 mm 1a 可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- RF VSSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( VSSOP )
- RF SSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( SSOP )
- PhotoMOS RF SON 1a 低C × R 小型低高度SON封装 C × R10：负载电压40 V C × R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF DIP6 1a 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP6 1a 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- RF SOP4 1a 低C×R 低C × R 小型 ( SOP 4-pin ) 负载电压40 V、60 V、80 V
- PhotoMOS RF DIP8 2a 低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- RF SOP8 2a 低C × R 低导通电阻小型2a型 ( SOP8-pin ) 负载电压200 V、 250 V
- RF SOP16 4a 低C × R 低C × R 小型4a型 ( SOP16-pin ) 负载电压40 V、80 V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器

RoHS規格

UL Recognaized

VDE TRIANGLE MARK

UL 、VDE 已取得。

标准认证信息

特点

1.SIL4pin的窄长形状(宽为4.5mm以下)

2.负载电压 60V，200V

3.负载电流 10A，5A

用途

1.太阳能发电系统

2.蓄电池系统

3.测量仪器

4.电源装置

5.其他机械・设备

基本信息

订货产品号

关联信息

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