Panasonic 松下电器 China

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PhotoMOS RF SON 1a 低C×R

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 1a 低C × R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE DIP4 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP6 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP4 1b 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP6 1b 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP8 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE DIP8 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GE DIP8 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GU DIP4 1a 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU DIP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU DIP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU DIP6 1a 带短路保护功能非闭锁型实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU DIP4 1a 带电流限制功能附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 40 V, 60 V ) ( 1.0 ～ 1.8 A ) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 60 ～ 400 V ) ( 0.1 ～ 0.8 A ) 可控制微小模拟信号通用小型1a型 ( SOP4-pin )
- PhotoMOS GU SOP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带限流功能附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带短路保护功能闭锁型附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS HE DIP6 1a 可实现系列Max. 3.5 A的高电流控制以及Max. 1,500 V的高电压控制
- PhotoMOS HE DIP6 ( 5-pin ) 1a 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE DIP6 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE DIP8 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE DIP8 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE DIP8 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE SOP6 1a 可实现系列Max. 3.3 A的高电流控制的小型封装
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 40 ～ 400 V ) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 1,200 V ) 负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS DIP6 1a 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP4 1a 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD Power DIP4 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- Power SIL4 W3.5 mm 可实现系列Max. 6 A功率控制的窄长SIL结构
- PhotoMOS Power SIL4 W4.5 mm 1a 可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- RF VSSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( VSSOP )
- RF SSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( SSOP )
- PhotoMOS RF SON 1a 低C × R 小型低高度SON封装 C × R10：负载电压40 V C × R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF DIP6 1a 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP6 1a 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- RF SOP4 1a 低C×R 低C × R 小型 ( SOP 4-pin ) 负载电压40 V、60 V、80 V
- PhotoMOS RF DIP8 2a 低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- RF SOP8 2a 低C × R 低导通电阻小型2a型 ( SOP8-pin ) 负载电压200 V、 250 V
- RF SOP16 4a 低C × R 低C × R 小型4a型 ( SOP16-pin ) 负载电压40 V、80 V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　 SPICE　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

小型低高度SON封装 C × R10：负载电压40 V C × R5：负载电压25V

RoHS規格

UL Recognaized

VDE TRIANGLE MARK

UL 、VDE 已取得。
尚未取得海外安全标准认证。

标准认证信息

特点

1.小型低高度SON形状（体积约为SSOP的43%）

2.C × R10

（低Ron型输出端子间容量：Typ. 14pF，导通电阻：Typ. 0.8Ω）
（低Cout型输出端子间容量：Typ. 1.1pF，导通电阻：Typ. 9.5Ω）

3.C × R5

（输出端子间容量：Typ. 1.1pF，导通电阻：Typ. 5.5Ω）

用途

1.所有测量、试验装置

IC测试器、探针卡、E板测试器等

2.通信·播放设备

3.医疗设备

超声波诊断装置等

注）本产品不可用于车载。
考虑用于车载用途时，请咨询本公司营业负责人

基本信息

订货产品号

关联信息

: 400-920-9200【手机OK】

电话咨询

控制机器产品技术支持

400-920-9200

【手机OK】

受理时间 9：00 - 17：00
(11:30-13:00、本公司休息日除外)

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