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PhotoMOS RF SOP 4a C×R10


额定

1.绝对最大额定值(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQS221R2S
(低Ron型)
AQS221N2S
(低Cout型)
备注
输入端 LED电流 IF 50 mA  
LED反向电压 VR 5 V  
最大正向电流 IFP 1 A f = 100 Hz
占空比 = 0.1%
允许损耗 Pin 75 mW
输出端 负载电压
(峰值AC)
VL 40 V  
连续负载电流 IL 0.16 A 0.06 A 峰值AC, DC
连续负载电流 Ipeak 0.2 A 0.12 A 100 ms(1 shot)
VL = DC
输出损耗 Pout 600 mW  
全部允许损耗 PT 650 mW  
耐电压 Viso 500 Vrms  
使用环境温度 Topr -40~+85℃ (应无结冰,结露)
保存温度 Tstg -40~+100℃  
接合部温度 Tj 125℃  

2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQS221R2S
(低Ron型)
AQS221N2S
(低Cout型)
测定条件
输入 动作LED电流 平均 IFon 0.5 mA 0.9 mA IL = Max.
最大 3.0 mA
复位LED电流 最小 IFoff 0.1 mA
平均 0.4 mA 0.85 mA
LED压降 平均 VF 1.25 V(IF = 5 mA时,1.14 V) IF = 50 mA
最大 1.5 V
输出 导通电阻 平均 Ron 0.8 Ω 9.5 Ω IF = 5 mA
IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
最大 1.25 Ω 12.5 Ω
输出端子间容量 平均 Cout 13.0 pF 1.0 pF IF = 0 mA
VB = 0 V
f = 1 MHz
最大 18.0 pF 1.5 pF
开路状态漏电流 平均 ILeak 0.03 nA 0.01 nA IF = 0 mA
VL = Max.
最大 10 nA
传输
特性
动作时间 平均 Ton 0.15 ms 0.03 ms IF = 5 mA
VL = 10 V
RL = 62.5 Ω (低Ron型)
RL = 500 Ω (低Cout型)
最大 0.5 ms 0.2 ms
复位时间 平均 Toff 0.06 ms 0.03 ms IF = 5 mA
VL = 10 V
RL = 62.5 Ω (低Ron型)
RL = 500 Ω (低Cout型)
最大 0.2 ms
输入/输出端子间容量 平均 Ciso 0.8 pF f = 1 MHz
VB = 0 V
最大 1.5 pF
输入/输出绝缘电阻 最小 Riso 1,000 MΩ 500 V DC
注) 1. 有关连接方法请参照内部方块图 · 端子接线图。
  2. 有关输出端子间容量和导通电阻的组合变更需求,请向本公司营业部咨询。
动作·复位时间
动作·复位时间

3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使用输出光电耦合器,请按以下条件进行使用。

项目 符号 最小 最大 单位
LED电流 IF 5 30 mA
AQS221R2S 负载电压(峰值AC) VL 15 V
连续负载电流 IL 0.16 A
AQS221N2S 负载电压(峰值AC) VL 15 V
连续负载电流 IL 0.06 A

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