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PhotoMOS RF SOP 4a C×R

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 低C×R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE 1a (4脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a (6脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GE 1b (4脚型) 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 1b (6脚型) 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GU 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU 1a 电流限制功能 (4脚型) 附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU 1a 高容量 (4脚型) 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU 带短路保护功能非闭锁型 (6脚型) 实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU SOP 1a (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，小型尺寸（SOP4脚型），通用1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1a 带限流功能型 (4脚型) 附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 低导通电阻低导通电阻小型（SOP 4pin）负载电压200V
- PhotoMOS GU SOP 1a 带短路保护功能闭锁型 (4脚型) 附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS GU SOP 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2b (8脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS HE 1a DIP6 (5脚型) 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE 1a (6脚型) 低导通电阻和经济性两者兼备
- PhotoMOS HE 1a 高容量可实现最大3.5A的高电流控制
- PhotoMOS HE 1a 高容量 (6脚型) 通过采用新一代MOS实现2A～3A高容量控制
- PhotoMOS HE 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量可实现最大3.3A (AQV252G3S), 2.2A (AQV255G3S)的高电流控制、小型封装
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量 (6脚型) 小型(SOP6脚型)下实现3A控制
- PhotoMOS HF 1a (6脚型) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF 1a 高容量负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 高容量小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS 1a (6脚型) 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP 1a (4脚型) 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- PhotoMOS 功率 1a 可实现功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a 高容量可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a DC 高容量可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS 功率 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS 功率 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- PhotoMOS RF SON C×R5 小型低高度SON封装、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SON C×R10 小型低高度SON封装、C×R10：负载电压40V
- PhotoMOS RF SOP 1a 低C×R (4脚型) 低C×R的小型(SOP4脚型)、负载电压60V/80V
- PhotoMOS RF SOP 1a C×R10 (4脚型) C×R10的小型(SOP4脚型)、负载电压40V
- PhotoMOS RF 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF 2a 低导通电阻低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP 2a 低导通电阻低导通电阻的小型(SOP8脚型)、负载电压200V 2a型
- PhotoMOS RF SOP 2a 低C×R 低C×R的小型(SOP8脚型)、负载电压250V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 4a 低C×R 低C×R的小型(SOP16脚型)、负载电压80V、4a型
- PhotoMOS RF SOP 4a C×R10 低C×R10的小型(SOP16脚型)、负载电压40V、4a型
- PhotoMOS RF SSOP 低C×R 低C×R型、SSOP、负载电压60V/80V/100V
- PhotoMOS RF SSOP C×R3 C×R3型、SSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF SSOP C×R5 小型SSOP、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SSOP C×R10 小型SSOP、C×R10：负载电压30V、40V
- PhotoMOS RF VSSOP 低C×R C×R型、VSSOP、负载电压 60V / 100V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R3 C×R3型、VSSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R5 安装底面积 4.6mm² C×R5 负载电压25V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R10 安装底面积4.6mm² C×R10 负载电压30V/40V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

额定・性能概要

尺寸图

额定

1.绝对最大额定值(测定条件　环境温度：25℃)

项目		符号	AQS225R2S	备注
输入端	LED电流	I_F	50 mA
	LED反向电压	V_R	5 V
	最大正向电流	I_FP	1 A	f = 100 Hz, 占空比 = 0.1 %
	允许损耗	P_in	75 mW
输出端	负载电压（峰值AC）	V_L	80 V
	连续负载电流	I_L	0.07 A	峰值AC, DC
	连续负载电流	I_peak	0.2 A	100 ms（1 shot）, V_L = DC
	输出损耗	P_out	600 mW
全部允许损耗		P_T	650 mW
耐电压		V_iso	1,500 Vrms
使用环境温度		T_opr	-40～+85℃	（应无结冰，结露）
保存温度		T_stg	-40～+100℃
接合部温度		T_j	125℃

2.性能概要(测定条件　环境温度：25℃)

项目			符号	AQS225R2S	测定条件
输入	动作LED电流	平均	I_Fon	0.9 mA	I_L = Max.
	动作LED电流	最大	I_Fon	3.0 mA
	复位LED电流	最小	I_Foff	0.3 mA
	复位LED电流	平均	I_Foff	0.85 mA
	LED压降	平均	V_F	1.25 V（I_F = 5 mA时，1.14 V）	I_F = 50 mA
	LED压降	最大	V_F	1.5 V	I_F = 50 mA
输出	导通电阻	平均	R_on	10.5 Ω	I_F = 5 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
	导通电阻	最大	R_on	15 Ω	I_F = 5 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
	输出端子间容量	平均	C_out	4.5 pF	I_F = 0 mA, V_B = 0 V, f = 1 MHz
	输出端子间容量	最大	C_out	6 pF	I_F = 0 mA, V_B = 0 V, f = 1 MHz
	开路状态漏电流	平均	I_Leak	0.01 nA	I_F = 0 mA, V_L = Max.
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	10 nA	I_F = 0 mA, V_L = Max.
传输特性	动作时间^※	平均	T_on	0.04 ms	I_F = 5 mA, I_L = Max.
	动作时间^※	最大	T_on	0.3 ms
	复位时间^※	平均	T_off	0.07 ms
	复位时间^※	最大	T_off	0.2 ms
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	0.8 pF	f = 1 MHz, V_B = 0 V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	1.5 pF	f = 1 MHz, V_B = 0 V
	输入/输出绝缘电阻	最小	R_iso	1,000 MΩ	500 V DC