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PhotoMOS RF 2a 低导通电阻


额定

1.绝对最大额定值(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQW227N(A) AQW224N(A) 备注


LED电流 IF 50 mA  
LED反向电压 VR 5 V  
最大正向电流 IFP 1 A f = 100 Hz
占空比 = 0.1 %
允许损耗 Pin 75 mW  


负载电压(峰值AC) VL 200 V 400 V  
连续负载电流 IL 0.05 A(0.07 A) 0.04 A(0.05 A) 峰值AC, DC
( )内仅限使用1a 1电路时
连续负载电流 Ipeak 0.15 A 0.12 A 100 ms(1 shot), VL = DC
输出损耗 Pout 800 mW  
全部允许损耗 PT 850 mW  
耐电压 Viso 1,500 Vrms
使用环境温度 Topr −40~+85℃ (应无结冰,结露)
保存温度 Tstg −40~+100℃  
接合部温度 Tj 125℃  

2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQW227N(A) AQW224N(A) 测定条件
输入 动作LED电流 平均 IFon 0.9 mA IL= Max.
最大 3 mA
复位LED电流 最小 IFoff 0.4 mA
平均 0.8 mA
LED压降 平均 VF 1.25 V(IF = 5 mA时,1.14 V) IF = 50 mA
最大 1.5 V
输出 导通电阻 平均 Ron 30 Ω 70 Ω IF = 5 mA, IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
最大 50 Ω 100 Ω
输出端子间容量 平均 Cout 10 pF IF = 0 mA, VB = 0 V
f = 1 MHz
最大 15 pF
开路状态漏电流 最大 ILeak 10 nA IF = 0 mA, VL = Max.
传输
特性
动作时间 平均 Ton 0.2 ms IF = 5 mA, IL = Max.
最大 0.5 ms
复位时间 平均 Toff 0.08 ms
最大 0.2 ms
输入/输出端子间容量 平均 Ciso 0.8 pF f = 1 MHz, VB = 0 V
最大 1.5 pF
输入/输出绝缘电阻 最小 Riso 1,000 MΩ 500 V DC
注)有关连接方法请参照内部方块图 · 端子接线图。
动作·复位时间
动作·复位时间

3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使用输出光电耦合器,请按以下条件进行使用。

项目 符号 使用电路数 最小 最大 单位
LED电流 IF 5 30 mA
AQW227N(A) 负载电压(峰值AC) VL 160 V
连续负载电流 IL 1ch
2ch
0.07
0.05
A
AQW224N(A) 负载电压(峰值AC) VL 320 V
连续负载电流 IL 1ch
2ch
0.05
0.04
A

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