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PhotoMOS RF VSSOP C×R10


额定

1.绝对最大额定值(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 C×R10 低Ron C×R10 低Cout 备注
AQY221R6T AQY221R2T AQY221N2T


LED电流 IF 50 mA  
LED反向电压 VR 5 V  
最大正向电流 IFP 1 A f = 100 Hz
占空比 = 0.1%
允许损耗 Pin 75 mW  


负载电压
(峰值AC)
VL 30 V 40 V 40 V  
连续负载电流 IL 0.8 A 0.25 A 0.12 A 峰值AC, DC
连续负载电流 Ipeak 1.5 A 0.75 A 100 ms(1 shot), VL = DC
输出损耗 Pout 250 mW  
全部允许损耗 PT 300 mW  
耐电压 Viso 200 Vrms  
使用环境温度 Topr −40~+85℃ (应无结冰,结露)
保存温度 Tstg −40~+100℃  
接合部温度 Tj 125℃  

2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 C×R10 低Ron C×R10 低Cout 测定条件
AQY221R6T AQY221R2T AQY221N2T
输入 动作LED电流 平均 IFon 0.5 mA 0.7 mA AQY221R6T:IL = 100 mA
AQY221R2T:IL = 250 mA
AQY221N2T:IL = 80 mA
最大 3 mA
复位LED电流 最小 IFoff 0.1 mA 0.2 mA
平均 0.4 mA 0.6 mA
LED压降 平均 VF 1.14 V(IF = 50 mA时,1.35 V) IF = 5 mA
最大 1.5 V
输出 导通电阻 平均 Ron 0.18 Ω 0.8 Ω 9.5 Ω AQY221R6T:IF = 5 mA, IL = 800 mA
AQY221R2T:IF = 5 mA, IL = 250 mA
AQY221N2T:IF = 5 mA, IL = 80 mA
通电时间 = 1秒以下
最大 0.35 Ω 1.25 Ω 12.5 Ω
输出端子间容量 平均 Cout 37.5 pF 14 pF 1.1 pF IF = 0 mA, f = 1 MHz, VB = 0 V
最大 100 pF 18 pF 1.5 pF
开路状态漏电流 平均 ILeak 0.02 nA 0.01 nA IF = 0 mA, VL = Max.
最大 10 nA
传输
特性
动作时间 平均 Ton 0.1 ms 0.01 ms AQY221R6T:IF = 5 mA, VL = 10 V, RL = 100 Ω
AQY221R2T:IF = 5 mA, VL = 10 V, RL = 40 Ω
AQY221N2T:IF = 5 mA, VL = 10 V, RL = 125 Ω
最大 0.5 ms 0.2 ms
复位时间 平均 Toff 0.06 ms 0.03 ms
最大 0.2 ms
输入/输出端子间容量 平均 Ciso 0.4 pF f = 1 MHz, VB = 0 V
最大 1.5 pF
注) 1. 有关输出端子间容量和导通电阻的组合变更需求,请向本公司营业部咨询。
动作·复位时间
动作·复位时间

3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 最小 最大 单位
LED电流 IF 5 30 mA
AQY221R6T 负载电压(峰值AC) VL 15 V
连续负载电流 IL 0.8 A
AQY221R2T 负载电压(峰值AC) VL 15 V
连续负载电流 IL 0.25 A
AQY221N2T 负载电压(峰值AC) VL 15 V
连续负载电流 IL 0.12 A

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