PhotoMOS HE 1a (5脚型)
额定
1绝对最大额定(测定条件 环境温度:25℃)
项目 |
记号 |
AQV258H5(A) |
备注 |
输入端 |
LED电流 |
IF |
50 mA |
|
LED反向电压 |
VR |
5 V |
|
最大正向电流 |
IFP |
1 A |
f = 100Hz、占空比 = 0.1 % |
允许损耗 |
Pin |
75 mW |
|
输出端 |
负载电压(峰值AC) |
VL |
1,500 V |
|
连续负载电流 |
IL |
0.02 A |
峰值AC、DC |
峰值负载电流 |
Ipeak |
0.06 A |
100 ms(1shot)、VL = DC |
输出损耗 |
Pout |
360 mW |
|
全部允许损耗 |
PT |
410 mW |
|
耐电压 |
Viso |
5,000 Vrms |
|
使用环境温度 |
Topr |
−40~+85℃ |
(应无结冰、凝露) |
保存温度 |
Tstg |
−40~+100℃ |
|
接合部温度 |
Tj |
125°C |
|
2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)
项目 |
记号 |
AQV258H5(A) |
测定条件 |
输入 |
动作LED电流 |
平均 |
IFon |
1.4 mA |
IL = Max. |
最大 |
3.0 mA |
复位LED电流 |
最小 |
IFoff |
0.2 mA |
平均 |
1.3 mA |
LED压降 |
平均 |
VF |
1.32 V(IF = 10mA 时1.16 V) |
IF = 50 mA |
最大 |
1.5 V |
输出 |
导通电阻 |
平均 |
Ron |
315 Ω |
IF = 10 mA、IL = Max.
通电时间= 1秒以下 |
最大 |
500 Ω |
开路状态漏电流 |
最大 |
ILeak |
10 µA |
IF = 0 mA、VL = Max. |
传输特性 |
动作时间※ |
平均 |
Ton |
0.35 ms |
IF = 10 mA、IL = Max. |
最大 |
1.0 ms |
复位时间※ |
平均 |
Toff |
0.04 ms |
最大 |
0.2 ms |
输入/输出端子间容量 |
平均 |
Ciso |
1.3 pF |
f = 1 MHz、VB = 0V |
最大 |
3 pF |
输入/输出间绝缘电阻 |
最小 |
Riso |
1,000 MΩ |
500 V DC |
3推荐动作条件(测量条件 环境温度:25℃)
为了正确地使输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。
项目 |
记号 |
最小 |
最大 |
单位 |
LED电流 |
IF |
5 |
30 |
mA |
AQV258H5(A) |
负载电压(峰值AC)
| VL |
ー |
1,200 |
V |
连续负载电流 |
IL |
ー |
0.02 |
A |
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