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PhotoMOS HE SOP 1a 高容量


额定

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度:25℃)

项目 符号 连接
AQV252G3S AQV255G3S 备注
输入端 LED电流
IF
- 50 mA  
LED反向电压
VR
- 5 V  
最大正向电流
IFP
- 1 A f = 100 Hz,
占空比 = 0.1%
允许损耗
Pin
- 75 mW  
输出端 负载电压
VL
- 60 V 100 V  
连续负载电流
IL
A 3.3 A 2.2 A A连接为峰值AC, DC
B 3.5 A 2.4 A B, C连接为DC
C 6.6 A 4.4 A
峰值负载电流
Ipeak
- 10 A 6.6 A 使用A连接时,
100 ms (1 shot), VL = DC
输出损耗
Pout
- 450 mW  
全部允许损耗
PT
- 500 mW  
耐电压
Viso
- 1,500 Vrms  
使用环境温度
Topr
- -40~+85°C (应无结冰,结露)
保存温度
Tstg
- -40~+100°C  
接合部温度
Tj
- 125°C  

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2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 连接
AQV252G3S AQV255G3S 测定条件
输入 动作LED电流 平均
IFon
- 0.5 mA IL = 100 mA
最大 3 mA
复位LED电流 最小
IFoff
- 0.2 mA IL = 100 mA
平均 0.4 mA
LED压降 平均
VF
- 1.32 V (IF = 5 mA时,1.14 V) IF = 50 mA
最大 1.5 V
输出 导通电阻 平均
Ron
A 0.033 Ω 0.07 Ω IF = 5 mA, IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
最大 0.06 Ω 0.12 Ω
平均
Ron
B 0.017 Ω 0.035 Ω IF = 5 mA, IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
最大 0.04 Ω 0.07 Ω
平均
Ron
C 0.0095 Ω 0.02 Ω IF = 5 mA, IL = Max.
通电时间 = 1秒以下
最大 0.02 Ω 0.04 Ω
开路状态漏电流 最大
ILeak
- 1 μA IF = 0 mA
VL = Max.
传输特性 动作时间 平均
Ton
- 1.8 ms IF = 5 mA
IL = 100 mA
VL = 10 V
最大 5 ms
复位时间 平均
Toff
- 0.15 ms IF = 5 mA
IL = 100 mA
VL = 10 V
最大 0.5 ms
输入/输出端子间容量 平均
Ciso
- 0.8 pF f = 1 MHz
VB = 0 V
最大 1.5 pF
输入/输出间绝缘电阻 最小
Riso
- 1,000 MΩ 500 V DC
最大通断频率 最大
-
- 2.5回/s IF = 5 mA
duty = 50%
IL = Max., VL = Max.
动作·复位时间
动作·复位时间

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3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。

项目 符号 最小 最大 单位
LED电流 IF 5 30 mA
AQV252G3S 负载电压(峰值AC) VL 48 V
连续负载电流(A连接) IL 3.3 A
AQV255G3S 负载电压(峰值AC) VL 80 V
连续负载电流(A连接) IL 2.2 A

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