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PhotoMOS GE 1a (4脚型)


额定

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度:25℃)

项目 符号 AQY211EH(A) AQY212EH(A) AQY210EH(A) AQY214EH(A) AQY216EH(A) 备注
输入端 LED电流 IF 50mA
LED反向电压 VR 5V
最大正向电流 IFP 1A f=100Hz,占空比=0.1%
允许损耗 Pin 75mW
输出端 负载电压(峰值AC) VL 30V 60V 350V 400V 600V
连续负载电流 IL 1A 0.55A 0.13A 0.12A 0.05A 峰值AC,DC
峰值负载电流 Ipeak 3A 1.5A 0.4A 0.3A 0.15A 100ms(1shot),VL=DC
输出损耗 Pout 500mW
全部允许损耗 PT 550mW
耐电压 Viso 5,000Vrms
使用环境温度 Topr −40~+85℃ (应无结冰,结露)
保存温度 Tstg −40~+100℃
接合部温度 Tj 125℃

2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQY211EH(A) AQY212EH(A) AQY210EH(A) AQY214EH(A) AQY216EH(A) 测定条件
输入 动作LED电流 平均 IFon 1.2mA IL=Max.
最大 3.0mA
复位LED电流 最小 IFoff 0.4mA
平均 1.1mA
LED压降 平均 VF 1.25V(IF=5mA时,1.14V) IF=50mA
最大 1.5V
输出 导通电阻 平均 Ron 0.25Ω 0.85Ω 18Ω 26Ω 52Ω IF=5mA
IL=Max.
通电时间= 1秒以下
最大 0.5Ω 2.5Ω 25Ω 35Ω 120Ω
开路状态漏电流 最大 ILeak 1µA IF=0mA
VL=Max.
传输特性 动作时间 平均 Ton 1.5ms 1ms 0.5ms IF=5mA
IL=Max.
最大 5ms 4ms 2.0ms
复位时间 平均 Toff 0.1ms 0.05ms 0.08ms 0.04ms
最大 1.0ms
输入/输出端子间容量 平均 Ciso 0.8pF f=1MHz
VB=0V
最大 1.5pF
输入/输出间绝缘电阻 最小 Riso 1,000MΩ 500V DC

注)有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

动作·复位时间
动作·复位时间

3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。

项目 符号 最小 最大 单位
LED电流 IF 5 30 mA
AQY211EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - 24 V
连续负载电流 IL - 1 A
AQY212EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - 48 V
连续负载电流 IL - 0.55 A
AQY210EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - 280 V
连续负载电流 IL - 0.13 A
AQY214EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - 320 V
连续负载电流 IL - 0.12 A
AQY216EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - 480 V
连续负载电流 IL - 0.05 A

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