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PhotoMOS GE 1a1b

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 低C×R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE 1a (4脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a (6脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GE 1b (4脚型) 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 1b (6脚型) 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GU 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU 1a 电流限制功能 (4脚型) 附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU 1a 高容量 (4脚型) 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU 带短路保护功能非闭锁型 (6脚型) 实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU SOP 1a (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，小型尺寸（SOP4脚型），通用1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1a 带限流功能型 (4脚型) 附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 低导通电阻低导通电阻小型（SOP 4pin）负载电压200V
- PhotoMOS GU SOP 1a 带短路保护功能闭锁型 (4脚型) 附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS GU SOP 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2b (8脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS HE 1a DIP6 (5脚型) 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE 1a (6脚型) 低导通电阻和经济性两者兼备
- PhotoMOS HE 1a 高容量可实现最大3.5A的高电流控制
- PhotoMOS HE 1a 高容量 (6脚型) 通过采用新一代MOS实现2A～3A高容量控制
- PhotoMOS HE 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量可实现最大3.3A (AQV252G3S), 2.2A (AQV255G3S)的高电流控制、小型封装
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量 (6脚型) 小型(SOP6脚型)下实现3A控制
- PhotoMOS HF 1a (6脚型) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF 1a 高容量负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 高容量小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS 1a (6脚型) 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP 1a (4脚型) 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- PhotoMOS 功率 1a 可实现功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a 高容量可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a DC 高容量可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS 功率 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS 功率 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- PhotoMOS RF SON C×R5 小型低高度SON封装、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SON C×R10 小型低高度SON封装、C×R10：负载电压40V
- PhotoMOS RF SOP 1a 低C×R (4脚型) 低C×R的小型(SOP4脚型)、负载电压60V/80V
- PhotoMOS RF SOP 1a C×R10 (4脚型) C×R10的小型(SOP4脚型)、负载电压40V
- PhotoMOS RF 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF 2a 低导通电阻低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP 2a 低导通电阻低导通电阻的小型(SOP8脚型)、负载电压200V 2a型
- PhotoMOS RF SOP 2a 低C×R 低C×R的小型(SOP8脚型)、负载电压250V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 4a 低C×R 低C×R的小型(SOP16脚型)、负载电压80V、4a型
- PhotoMOS RF SOP 4a C×R10 低C×R10的小型(SOP16脚型)、负载电压40V、4a型
- PhotoMOS RF SSOP 低C×R 低C×R型、SSOP、负载电压60V/80V/100V
- PhotoMOS RF SSOP C×R3 C×R3型、SSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF SSOP C×R5 小型SSOP、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SSOP C×R10 小型SSOP、C×R10：负载电压30V、40V
- PhotoMOS RF VSSOP 低C×R C×R型、VSSOP、负载电压 60V / 100V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R3 C×R3型、VSSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R5 安装底面积 4.6mm² C×R5 负载电压25V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R10 安装底面积4.6mm² C×R10 负载电压30V/40V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

额定・性能概要

尺寸图

额定

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度：25℃)

项目		符号	AQW612EH(A)	AQW610EH(A)	AQW614EH(A)	备注
输入端	LED电流	I_F	50mA
	LED反向电压	V_R	5V
	最大正向电流	I_FP	1A			f=100Hz 占空比=0.1%
	允许损耗	P_in	75mW
输出端	负载电压 (峰值AC)	V_L	60V	350V	400V
	连续负载电流	I_L	0.5A(0.6A)	0.12A(0.14A)	0.1A(0.13A)	峰值AC，DC ( )内仅限使用1a或1b 1电路时
	峰值负载电流	I_peak	1.5A	0.36A	0.3A	100ms(1shot) V_L=DC
	输出损耗	P_out	800mW
全部允许损耗		P_T	850mW
耐电压		V_iso	5,000Vrms
使用环境温度		T_opr	−40～+85℃			(应无结冰，结露)
保存温度		T_stg	−40～+100℃
接合部温度		Tj	125℃

2.性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	AQW612EH(A)	AQW610EH(A)	AQW614EH(A)	测定条件
输入	动作LED电流	平均	I_Fon(N.O.) I_Foff(N.C.)	1.4mA			I_L=Max.
	动作LED电流	最大	I_Fon(N.O.) I_Foff(N.C.)	3mA
	复位LED电流	最小	I_Foff(N.O.) I_Fon(N.C.)	0.4mA
	复位LED电流	平均	I_Foff(N.O.) I_Fon(N.C.)	1.3mA
	LED压降	平均	V_F	1.25V(I_F=5mA时，1.14V)			I_F=50mA
	LED压降	最大	V_F	1.5V			I_F=50mA
输出	导通电阻	平均	R_on	1Ω	18Ω	26Ω	I_F=5mA(N.O.) I_F=0mA(N.C.) I_L=Max. 通电时间=1秒以下
	导通电阻	最大	R_on	2.5Ω	25Ω	35Ω	I_F=5mA(N.O.) I_F=0mA(N.C.) I_L=Max. 通电时间=1秒以下
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	1µA(N.O.)，10µA(N.C.)			I_F=0mA(N.O.) I_F=5mA(N.C.) V_L=Max.
传输特性	动作时间^※	平均	T_on(N.O.) T_off(N.C.)	1ms(N.O.) 3ms(N.C.)	0.5ms(N.O.) 1.0ms(N.C.)	0.5ms(N.O.) 0.8ms(N.C.)	I_F=0mA→5mA I_L=Max.
	动作时间^※	最大	T_on(N.O.) T_off(N.C.)	4ms(N.O.) 10ms(N.C.)	3ms		I_F=0mA→5mA I_L=Max.
	复位时间^※	平均	T_off(N.O.) T_on(N.C.)	0.05ms(N.O.) 0.2ms(N.C.)	0.08ms(N.O.) 0.3ms(N.C.)	0.08ms(N.O.) 0.2ms(N.C.)	I_F=5mA→0mA I_L=Max.
	复位时间^※	最大	T_off(N.O.) T_on(N.C.)	1ms			I_F=5mA→0mA I_L=Max.
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	0.8pF			f=1MHz V_B=0V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	1.5pF			f=1MHz V_B=0V
	输入/输出间绝缘电阻	最小	R_iso	1,000MΩ			500V DC

注）有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

※	动作·复位时间

3.建议动作条件（测定条件环境温度：25℃）

为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位，请按以下条件进行使用。

项目		符号	使用电路数	最小	最大	单位
LED电流		I_F	-	5	30	mA
AQW612EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	48	V
AQW612EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.6 0.5	A
AQW610EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	280	V
AQW610EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.14 0.12	A
AQW614EH(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	-	320	V
AQW614EH(A)	连续负载电流	I_L	1ch 2ch	-	0.13 0.1	A