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PhotoMOS GE 1a1b


额定

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度:25℃)

项目 符号 AQW612EH(A) AQW610EH(A) AQW614EH(A) 备注


LED电流 IF 50mA
LED反向电压 VR 5V
最大正向电流 IFP 1A f=100Hz
占空比=0.1%
允许损耗 Pin 75mW


负载电压
(峰值AC)
VL 60V 350V 400V
连续负载电流 IL 0.5A(0.6A) 0.12A(0.14A) 0.1A(0.13A) 峰值AC,DC
( )内仅限使用1a或1b 1电路时
峰值负载电流 Ipeak 1.5A 0.36A 0.3A 100ms(1shot)
VL=DC
输出损耗 Pout 800mW
全部允许损耗 PT 850mW
耐电压 Viso 5,000Vrms
使用环境温度 Topr −40~+85℃ (应无结冰,结露)
保存温度 Tstg −40~+100℃
接合部温度 Tj 125℃

2.性能概要(测定条件 环境温度:25℃)

项目 符号 AQW612EH(A) AQW610EH(A) AQW614EH(A) 测定条件
输入 动作LED电流 平均 IFon(N.O.)
IFoff(N.C.)
1.4mA IL=Max.
最大 3mA
复位LED电流 最小 IFoff(N.O.)
IFon(N.C.)
0.4mA
平均 1.3mA
LED压降 平均 VF 1.25V(IF=5mA时,1.14V) IF=50mA
最大 1.5V
输出 导通电阻 平均 Ron 18Ω 26Ω IF=5mA(N.O.)
IF=0mA(N.C.)
IL=Max.
通电时间=1秒以下
最大 2.5Ω 25Ω 35Ω
开路状态
漏电流
最大 ILeak 1µA(N.O.),10µA(N.C.) IF=0mA(N.O.)
IF=5mA(N.C.)
VL=Max.
传输
特性
动作时间 平均 Ton(N.O.)
Toff(N.C.)
1ms(N.O.)
3ms(N.C.)
0.5ms(N.O.)
1.0ms(N.C.)
0.5ms(N.O.)
0.8ms(N.C.)
IF=0mA→5mA
IL=Max.
最大 4ms(N.O.)
10ms(N.C.)
3ms
复位时间 平均 Toff(N.O.)
Ton(N.C.)
0.05ms(N.O.)
0.2ms(N.C.)
0.08ms(N.O.)
0.3ms(N.C.)
0.08ms(N.O.)
0.2ms(N.C.)
IF=5mA→0mA
IL=Max.
最大 1ms
输入/输出端子间
容量
平均 Ciso 0.8pF f=1MHz
VB=0V
最大 1.5pF
输入/输出间
绝缘电阻
最小 Riso 1,000MΩ 500V DC

注)有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

动作·复位时间
动作·复位时间

3.建议动作条件(测定条件 环境温度:25℃)

为了正确地使用输出光电耦合器动作、复位,请按以下条件进行使用。

项目 符号 使用电路数 最小 最大 单位
LED电流 IF - 5 30 mA
AQW612EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - - 48 V
连续负载电流 IL 1ch
2ch
- 0.6
0.5
A
AQW610EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - - 280 V
连续负载电流 IL 1ch
2ch
- 0.14
0.12
A
AQW614EH(A) 负载电压(峰值AC) VL - - 320 V
连续负载电流 IL 1ch
2ch
- 0.13
0.1
A

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