元器件产品及解决方案 > 产品中心 > 控制机器首页 > 控制・输入元器件 > 继电器・光电耦合器 > PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) > PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器)产品阵容 > MOSFET驱动器高输出型 > 额定・性能概要

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MOSFET驱动器高输出型

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 1a 低C × R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE DIP4 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP6 1a 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE DIP4 1b 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP6 1b 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE DIP8 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE DIP8 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GE DIP8 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GU DIP4 1a 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU DIP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU DIP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU DIP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU DIP6 1a 带短路保护功能非闭锁型实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU DIP4 1a 带电流限制功能附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 40 V, 60 V ) ( 1.0 ～ 1.8 A ) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP4 1a ( 60 ～ 400 V ) ( 0.1 ～ 0.8 A ) 可控制微小模拟信号通用小型1a型 ( SOP4-pin )
- PhotoMOS GU SOP6 1a 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP6 1b 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 2b 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP8 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带限流功能附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP4 1a 带短路保护功能闭锁型附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS HE DIP6 1a 可实现系列Max. 3.5 A的高电流控制以及Max. 1,500 V的高电压控制
- PhotoMOS HE DIP6 ( 5-pin ) 1a 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE DIP6 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE DIP8 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE DIP8 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE DIP8 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE SOP6 1a 可实现系列Max. 3.3 A的高电流控制的小型封装
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 40 ～ 400 V ) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF DIP6 1a ( 1,200 V ) 负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS DIP6 1a 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP4 1a 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD Power DIP4 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- Power SIL4 W3.5 mm 可实现系列Max. 6 A功率控制的窄长SIL结构
- PhotoMOS Power SIL4 W4.5 mm 1a 可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS Power SIL4 W3.5 mm 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- RF VSSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( VSSOP )
- RF SSOP 1a 低C × R 低C × R 小型1a型 ( SSOP )
- PhotoMOS RF SON 1a 低C × R 小型低高度SON封装 C × R10：负载电压40 V C × R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF DIP6 1a 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP6 1a 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- RF SOP4 1a 低C×R 低C × R 小型 ( SOP 4-pin ) 负载电压40 V、60 V、80 V
- PhotoMOS RF DIP8 2a 低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- RF SOP8 2a 低C × R 低导通电阻小型2a型 ( SOP8-pin ) 负载电压200 V、 250 V
- RF SOP16 4a 低C × R 低C × R 小型4a型 ( SOP16-pin ) 负载电压40 V、80 V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

额定・性能概要

尺寸图

额定

1绝对最大额定（测定条件环境温度：25°C）

项目		符号	APV1111GV	备注
输入端	LED电流	I_F	30 mA
	LED反向电压	V_R	5 V
	最大正向电流	I_FP	1 A	f = 100 Hz 占空比 = 0.1%
	允许损耗	P_in	60 mW
耐电压		V_iso	1,500 Vrms
动作温度		T_opr	-40 ～ +85°C	（应无结冰、结露)
保存温度		T_stg	-40 ～ +100°C
接合部温度		T_j	125°C

2性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	APV1111GV	APV3111GV	测定条件
输入端	LED压降	平均	V_F	1.47 V		I_F = 10 mA
输入端	LED压降	最大	V_F	1.7 V		I_F = 10 mA
输出端	释放输出电压	平均	V_oc	8.5 V	16.5 V	I_F = 5 mA
		最小		6 V	15 V	I_F = 10 mA
		平均		8.5 V	18 V	I_F = 10 mA
	短路电流	平均	I_sc	25 µA	7 µA	I_F = 5 mA
		最小		25 µA	5 µA	I_F = 10 mA
		平均		45 µA	12 µA	I_F = 10 mA
传输特性	动作时间^*	平均	T_on	0.1 ms	0.4 ms	I_F = 10 mA C_L = 1,000 pF
	复位时间^*	平均	T_off	0.1 ms	0.04 ms	I_F = 10 mA C_L = 1,000 pF
	输入输出端子间容量	平均	C_iso	0.8 pF		V_B = 0 V f = 1 MHz
	输入输出端子间容量	最大	C_iso	1.5 pF		V_B = 0 V f = 1 MHz
	输入输出间绝缘电阻	最小	R_iso	1,000 MΩ		500 V DC