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PhotoMOS HF 1a (6脚型)

产品阵容
- PhotoMOS CC TSON 1b 小型尺寸、低消耗电流实现TSON 1b型的容量绝缘方式
- PhotoMOS CC TSON 低C×R 小型尺寸、低消耗电流实现Max.0.2mA的容量绝缘方式
- PhotoMOS GE 1a (4脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a (6脚型) 实现了加强绝缘5,000V 1a型
- PhotoMOS GE 1a1b 具备加强绝缘5,000V 1a1b型
- PhotoMOS GE 1b (4脚型) 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 1b (6脚型) 具备加强绝缘5,000V 1b型
- PhotoMOS GE 2a 具备加强绝缘5,000V 2a型
- PhotoMOS GE 2b 具备加强绝缘5,000V 2b型
- PhotoMOS GU 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(6脚型)
- PhotoMOS GU 1a 电流限制功能 (4脚型) 附带电流限制功能的加强绝缘5,000V AC型
- PhotoMOS GU 1a 高容量 (4脚型) 实现1.1A的高容量控制，加强绝缘1a型(4脚型)
- PhotoMOS GU 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型
- PhotoMOS GU 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(6脚型)
- PhotoMOS GU 2a 可执行微小模拟信号控制，通用2a型
- PhotoMOS GU 2b 可执行微小模拟信号控制，通用2b型
- PhotoMOS GU 带短路保护功能非闭锁型 (6脚型) 实现自复位型的短路保护功能、负载电压60V
- PhotoMOS GU SOP 1a (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，小型尺寸（SOP4脚型），通用1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型1a型(SOP 6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1a 带限流功能型 (4脚型) 附带电流限制功能、小型(SOP4脚型)1a型
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 小型(SOP 4脚型)形状实现系列MAX.1.8A的高容量控制
- PhotoMOS GU SOP 1a 高容量 (4脚型) 低导通电阻低导通电阻小型（SOP 4pin）负载电压200V
- PhotoMOS GU SOP 1a 带短路保护功能闭锁型 (4脚型) 附带短路保护功能、小型尺寸(SOP4脚型)、负载电压350V
- PhotoMOS GU SOP 1a1b 可执行微小模拟信号控制，通用1a1b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (4脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP4脚型)
- PhotoMOS GU SOP 1b (6脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用1b型(SOP6脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2a 可执行微小模拟信号控制，通用小型2a型(SOP 8脚型)
- PhotoMOS GU SOP 2b (8脚型) 可执行微小模拟信号控制，通用小型2b型(SOP8脚型)
- PhotoMOS HE 1a DIP6 (5脚型) 适用于产业用电池管理系统（BMS）用途
- PhotoMOS HE 1a (6脚型) 低导通电阻和经济性两者兼备
- PhotoMOS HE 1a 高容量可实现最大3.5A的高电流控制
- PhotoMOS HE 1a 高容量 (6脚型) 通过采用新一代MOS实现2A～3A高容量控制
- PhotoMOS HE 1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1b型
- PhotoMOS HE 1a1b 低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型
- PhotoMOS HE 2a 低导通电阻和经济性两者兼备的2a型
- PhotoMOS HE 2b 低导通电阻和经济性两者兼备的2b型
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量可实现最大3.3A (AQV252G3S), 2.2A (AQV255G3S)的高电流控制、小型封装
- PhotoMOS HE SOP 1a 高容量 (6脚型) 小型(SOP6脚型)下实现3A控制
- PhotoMOS HF 1a (6脚型) 实现低导通电阻、备有DC专用型
- PhotoMOS HF 1a 高容量负载电压1,200V 实现低导通电阻1.0Ω(Typ.) (DIP 6 脚型)
- PhotoMOS HF SSOP 1a 高容量小型封装(SSOP)，实现负载电压600V
- PhotoMOS HS 1a (6脚型) 通过独特的MOS驱动电路实现了高灵敏度
- PhotoMOS HS SOP 1a (4脚型) 建议输入LED电流2mA的高灵敏度(低消耗电流)　小型SOP型
- PhotoMOS HS WSSOP 1a 低C×R 可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS PD 1a 小型扁平封装、可控制2A的高容量
- PhotoMOS 功率 1a 可实现功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a 高容量可实现系列最大6A功率控制的窄长SIL形状
- PhotoMOS 功率 1a DC 高容量可实现最大10A功率控制的窄长SIL形状DC半导体继电器
- PhotoMOS 功率 1a 电压驱动可实现功率控制的窄长形状、电压驱动型
- PhotoMOS 功率 1b 可实现功率控制的窄长SIL形状、1b型
- PhotoMOS RF SON C×R5 小型低高度SON封装、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SON C×R10 小型低高度SON封装、C×R10：负载电压40V
- PhotoMOS RF SOP 1a 低C×R (4脚型) 低C×R的小型(SOP4脚型)、负载电压60V/80V
- PhotoMOS RF SOP 1a C×R10 (4脚型) C×R10的小型(SOP4脚型)、负载电压40V
- PhotoMOS RF 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF 2a 低导通电阻低导通电阻、负载电压200V/400V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 1a 低导通电阻 (6脚型) 低导通电阻的小型(SOP6脚型)、负载电压200V/400V
- PhotoMOS RF SOP 2a 低导通电阻低导通电阻的小型(SOP8脚型)、负载电压200V 2a型
- PhotoMOS RF SOP 2a 低C×R 低C×R的小型(SOP8脚型)、负载电压250V、2a型
- PhotoMOS RF SOP 4a 低C×R 低C×R的小型(SOP16脚型)、负载电压80V、4a型
- PhotoMOS RF SOP 4a C×R10 低C×R10的小型(SOP16脚型)、负载电压40V、4a型
- PhotoMOS RF SSOP 低C×R 低C×R型、SSOP、负载电压60V/80V/100V
- PhotoMOS RF SSOP C×R3 C×R3型、SSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF SSOP C×R5 小型SSOP、C×R5：负载电压25V
- PhotoMOS RF SSOP C×R10 小型SSOP、C×R10：负载电压30V、40V
- PhotoMOS RF VSSOP 低C×R C×R型、VSSOP、负载电压 60V / 100V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R3 C×R3型、VSSOP、负载电压20V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R5 安装底面积 4.6mm² C×R5 负载电压25V
- PhotoMOS RF VSSOP C×R10 安装底面积4.6mm² C×R10 负载电压30V/40V
- MOSFET驱动器备有品种丰富的MOSFET驱动器
- MOSFET驱动器高输出型有助于MOSFET高速动作和低导通电阻的2个产品阵容
CAD数据　样本·目录　　
常见问题解答

基本信息

订货产品号

额定・性能概要

尺寸图

DC专用
AC/DC兼用

DC专用

1.绝对最大额定值(测定条件环境温度：25℃)

项目		符号	AQV101(A)	AQV102(A)	AQV103(A)	AQV104(A)	备注
输入端	LED电流	I_F	50 mA
	LED反向电压	V_R	10 V
	最大正向电流	I_FP	1 A				f = 100 Hz 占空比 = 0.1%
	允许损耗	P_in	150 mW
输出端	负载电压(DC)	V_L	40 V	60 V	250 V	400 V
	连续负载电流	I_L	0.7 A	0.6 A	0.3 A	0.18 A
	峰值负载电流	I_peak	1.8 A	1.5 A	0.6 A	0.5 A	100 ms（1 shot）
	输出损耗	P_out	360 mW
全部允许损耗		P_T	410 mW
耐电压		V_iso	1,500 Vrms
使用环境温度		T_opr	−40～+85℃				(应无结冰，结露)
保存温度		T_stg	−40～+100℃
接合部温度		Tj	125℃

2.性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	AQV101(A)	AQV102(A)	AQV103(A)	AQV104(A)	测定条件
输入	动作LED电流	平均	I_Fon	2.3 mA				I_L = Max.
	动作LED电流	最大	I_Fon	5 mA
	复位LED电流	最小	I_Foff	0.8 mA
	复位LED电流	平均	I_Foff	2.2 mA
	LED压降	平均	V_F	2.3 V				I_F ＝ 10 mA
	LED压降	最大	V_F	3 V				I_F ＝ 10 mA
输出	导通电阻	平均	R_on	0.3 Ω	0.37 Ω	2.7 Ω	6.3 Ω	I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
	导通电阻	最大	R_on	0.5 Ω	0.7 Ω	4 Ω	8 Ω	I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	1 µA				I_F = 0 mA, V_L ＝ Max. I_F = 10 mA
传输特性	动作时间^＊	平均	T_on	0.23 ms	0.22 ms	0.13 ms	0.09 ms	I_F = 10 mA I_L = Max.
	动作时间^＊	最大	T_on	1 ms
	复位时间^＊	平均	T_off	0.07 ms			0.08 ms
	复位时间^＊	最大	T_off	1 ms
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	1.3 pF				f = 1 MHz V_B = 0 V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	3 pF				f = 1 MHz V_B = 0 V
	输入/输出间绝缘电阻	最小	R_iso	1,000 MΩ				500 V DC

注) 有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

※	动作·复位时间

3.建议动作条件（测定条件环境温度：25℃）

为了正确地使输出光电耦合器动作、复位。请按以下条件进行使用。

项目		符号	最小	最大	单位
LED电流		I_F	10	30	mA
AQV101(A)	负载电压(DC)	V_L	-	32	V
AQV101(A)	连续负载电流(DC)	I_L	-	0.7	A
AQV102(A)	负载电压(DC)	V_L	-	48	V
AQV102(A)	连续负载电流(DC)	I_L	-	0.6	A
AQV103(A)	负载电压(DC)	V_L	-	200	V
AQV103(A)	连续负载电流(DC)	I_L	-	0.3	A
AQV104(A)	负载电压(DC)	V_L	-	320	V
AQV104(A)	连续负载电流(DC)	I_L	-	0.18	A

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AC/DC兼用

1.绝对最大额定值（测定条件环境温度：25℃）

项目		符号	AQV201(A)	AQV202(A)	AQV203(A)	AQV204(A)	备注
输入端	LED电流	I_F	50 mA
	LED反向电压	V_R	10 V
	最大正向电流	I_FP	1 A				f = 100 Hz 占空比 = 0.1%
	允许损耗	P_in	150 mW
输出端	负载电压 (峰值AC)	V_L	40 V	60 V	250 V	400 V
	连续负载电流	I_L	0.5 A(A连接) 0.7 A(B连接) 1.0 A(C连接)	0.4 A(A连接) 0.6 A(B连接) 0.8 A(C连接)	0.2 A(A连接) 0.3 A(B连接) 0.4 A(C连接)	0.15 A(A连接) 0.18 A(B连接) 0.25 A(C连接)	A连接为峰值AC, DC B, C连接为DC
	峰值负载电流	I_peak	1.8 A	1.5 A	0.6 A	0.5 A	使用A连接时，100 ms(1 shot) V_L = DC
	输出损耗	P_out	360 mW
全部允许损耗		P_T	410 mW
耐电压		V_iso	1,500 Vrms
使用环境温度		T_opr	−40～+85℃				(应无结冰、凝露)
保存温度		T_stg	−40～+100℃
接合部温度		Tj	125℃

2.性能概要（测定条件环境温度：25℃）

项目			符号	AQV201(A)	AQV202(A)	AQV203(A)	AQV204(A)	测定条件
输入	动作LED电流	平均	I_Fon	2.4 mA				I_L = Max.
	动作LED电流	最大	I_Fon	5 mA
	复位LED电流	最小	I_Foff	0.8 mA
	复位LED电流	平均	I_Foff	2.2 mA
	LED压降	平均	V_F	2.3 V				I_F = 10 mA
	LED压降	最大	V_F	3 V				I_F = 10 mA
输出	导通电阻	平均	R_on	0.6 Ω	0.74 Ω	5.5 Ω	12.4 Ω	A连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
		最大		1 Ω	1.4 Ω	8 Ω	16 Ω	A连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
		平均		0.3 Ω	0.37 Ω	2.7 Ω	6.2 Ω	B连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
		最大		0.5 Ω	0.7 Ω	4 Ω	8 Ω	B连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
		平均		0.15 Ω	0.18 Ω	1.4 Ω	3.1 Ω	C连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
		最大		0.25 Ω	0.35 Ω	2 Ω	4 Ω	C连接 I_F = 10 mA, I_L = Max. 通电时间 = 1秒以下
	开路状态漏电流	最大	I_Leak	1 µA				I_F = 0 mA V_L = Max.
传输特性	动作时间^＊	平均	T_on	0.38 ms	0.41 ms	0.21 ms	0.18 ms	I_F = 10 mA I_L = Max.
	动作时间^＊	最大	T_on	1 ms
	复位时间^＊	平均	T_off	0.08 ms			0.07 ms
	复位时间^＊	最大	T_off	1 ms
	输入/输出端子间容量	平均	C_iso	1.3 pF				f = 1 MHz V_B = 0 V
	输入/输出端子间容量	最大	C_iso	3 pF				f = 1 MHz V_B = 0 V
	输入/输出间绝缘电阻	最小	R_iso	1,000 MΩ				500 V DC

注) 有关连接方法请参照内部方块图·端子接线图。

※	动作·复位时间

3.建议动作条件（测定条件环境温度：25℃）

为了正确地使输出光电耦合器动作、复位。请按一下条件进行使用。

项目		符号	最小	最大	单位
LED电流		I_F	10	30	mA
AQV201(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	32	V
AQV201(A)	连续负载电流（A 连接）	I_L	-	0.5	A
AQV201(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	48	V
AQV201(A)	连续负载电流（A 连接）	I_L	-	0.4	A
AQV201(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	200	V
AQV201(A)	连续负载电流（A 连接）	I_L	-	0.2	A
AQV201(A)	负载电压(峰值AC)	V_L	-	320	V
AQV201(A)	连续负载电流（A 连接）	I_L	-	0.15	A