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AQY221N2MW | PhotoMOS RF SON C×R10


PhotoMOS RF SON C×R10

※产品实际尺寸以实物为准。

  • RoHS指令 符合EU RoHS指令2011/65 / EU的6种物质和EU RoHS指令2015/863 / EU的4种物质所要求的标准。  
  • RoHS证书下载


订货产品号 AQY221N2MW
型号 AQY221N2MW
产品 低输出端子容量(低Cout型)
详细 表面安装端子,盘装包装(W),负载电压:40 V
产品名称 PhotoMOS RF SON C×R10
特长 小型低高度SON封装、C×R10:负载电压40V

截至2024年04月28日
为了改善本产品,会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQY221N2MW
型号 AQY221N2MW
产品名称 RF SON C×R10
类型 RF
封装 SON
电压类型 AC/DC
输出构成 1a
端子形状 表面安装端子
包装方式 盘装包装(W)
包装数量
内箱 (盘装包装) (个)
3,500
包装数量
外箱 (个)
3,500
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
最大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 40V
连续负载电流 [ IL ] 0.12A
输出损耗 [ Pout ] 250mW
全部允许损耗 [ Pt ] 300mW
耐电压 [ Viso ] 200Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40°C~+85°C
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40°C~+100°C
接合部温度 [ Tj ] 125°C
动作LED电流(平均) 1.0mA
动作LED电流(最大) 3.0mA
复位LED电流(最小) 0.2mA
复位LED电流(平均) 0.9mA
LED压降(平均) [ VF ] 1.14V
LED压降(最大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 9.5 ohm
导通电阻(最大) [ Ron ] 12.5 ohm
输出端子间容量(平均) [ Cout ] 1.1pF
输出端子间容量(最大) [ Cout ] 1.5pF
开路状态漏电流 (平均) [ ILeak ] 0.01nA
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] 10nA
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 0.02ms
动作时间(最大) 0.2ms
复位时间(平均) 0.02ms
复位时间(最大) 0.2ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] 最大:15V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] 最大:0.12A

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