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AQY410EHAZ | PhotoMOS GE 1b (4脚型)


PhotoMOS GE 1b (4脚型)

※产品实际尺寸以实物为准。

  • RoHS指令 符合EU RoHS指令2011/65 / EU的6种物质和EU RoHS指令2015/863 / EU的4种物质所要求的标准。  
  • RoHS证书下载


订货产品号 AQY410EHAZ
型号 AQY410EHAZ
详细 表面安装端子,盘装包装(Z),负载电压:350 V
产品名称 PhotoMOS GE 1b (4脚型)
特长 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型

截至2024年11月24日
为了改善本产品,会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQY410EHAZ
型号 AQY410EHAZ
产品名称 GE 1b
类型 GE
封装 DIP4
电压类型 AC/DC
输出构成 1b
端子形状 表面安装端子
包装方式 盘装包装(Z)
包装数量
内箱 (盘装包装) (个)
1,000
包装数量
外箱 (个)
1,000
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
最大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 350V
连续负载电流 [ IL ] 0.13A
峰值负载电流 [ Ipeak ] 0.4A
输出损耗 [ Pout ] 500mW
全部允许损耗 [ Pt ] 550mW
耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃~+85℃
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃~+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
动作LED电流(平均) 1.4mA
动作LED电流(最大) 3.0mA
复位LED电流(最小) 0.4mA
复位LED电流(平均) 1.3mA
LED压降(平均) [ VF ] 1.25V
LED压降(最大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 18 Ω
导通电阻(最大) [ Ron ] 25 Ω
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] 10μA
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 1.0ms
动作时间(最大) 3.0ms
复位时间(平均) 0.3ms
复位时间(最大) 1.0ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] 最大:280V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] 最大:0.13A

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标准认证信息

标准名称 取得情况 符合信息 多个产品认证书索取
UL

取得

认证书索取
文件№ E191218
额定 UL Recognized
1100mA
备注 Device rating
0.13A 350V AC(peak)
0.13A 350V DC
更新日期 2024年5月22日
VDE

取得

认证书索取
文件№ Nr.40051981
额定 -
备注 -
更新日期 2021年10月12日
产品刻印 ※ 无产品刻印

※ 符合的标准会刻印在产品上。但是也存在符合的标准不刻印在产品上的情况。


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