元器件产品及解决方案 > 产品中心 > 控制机器首页 > 控制・输入元器件 > 继电器·光电耦合器 > PhotoMOS (MOSFET输出光电耦合器) > PhotoMOS GE 1b (4脚型) > 订货产品号 > AQY410EHAZ
订货产品号 | AQY410EHAZ |
型号 | AQY410EHAZ |
详细 | 表面安装端子,盘装包装(Z),负载电压:350 V |
产品名称 | PhotoMOS GE 1b (4脚型) |
特长 | 经济实惠具备加强绝缘5,000V 1b型 |
截至2024年11月24日
为了改善本产品,会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。
项目 | 内容 |
---|---|
订货产品号 | AQY410EHAZ |
型号 | AQY410EHAZ |
产品名称 | GE 1b |
类型 | GE |
封装 | DIP4 |
电压类型 | AC/DC |
输出构成 | 1b |
端子形状 | 表面安装端子 |
包装方式 | 盘装包装(Z) |
包装数量 内箱 (盘装包装) (个) |
1,000 |
包装数量 外箱 (个) |
1,000 |
LED电流 [ IF ] | 50mA |
LED反向电压 [ VR ] | 5V |
最大正向电流 [ IFP ] | 1A |
部允许损耗 [ Pin ] | 75mW |
负载电压 [ VL ] | 350V |
连续负载电流 [ IL ] | 0.13A |
峰值负载电流 [ Ipeak ] | 0.4A |
输出损耗 [ Pout ] | 500mW |
全部允许损耗 [ Pt ] | 550mW |
耐电压 [ Viso ] | 5,000Vrms |
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40℃~+85℃ |
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40℃~+100℃ |
接合部温度 [ Tj ] | 125℃ |
动作LED电流(平均) | 1.4mA |
动作LED电流(最大) | 3.0mA |
复位LED电流(最小) | 0.4mA |
复位LED电流(平均) | 1.3mA |
LED压降(平均) [ VF ] | 1.25V |
LED压降(最大) [ VF ] | 1.5V |
导通电阻(平均) [ Ron ] | 18 Ω |
导通电阻(最大) [ Ron ] | 25 Ω |
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 10μA |
过电流保护功能 | 无功能 |
动作时间(平均) | 1.0ms |
动作时间(最大) | 3.0ms |
复位时间(平均) | 0.3ms |
复位时间(最大) | 1.0ms |
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] | 最小:5mA 最大:30mA |
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大:280V |
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大:0.13A |
400-920-9200
受理时间 9:00 - 17:00
(11:30-13:00、本公司休息日除外)