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AQW612EHA | PhotoMOS GE 1a1b


PhotoMOS GE 1a1b

※产品实际尺寸以实物为准。

  • RoHS指令 符合EU RoHS指令2011/65 / EU的6种物质和EU RoHS指令2015/863 / EU的4种物质所要求的标准。  
  • RoHS证书下载


订货产品号 AQW612EHA
型号 AQW612EHA
详细 表面安装端子,管装包装,负载电压:60 V
产品名称 PhotoMOS GE 1a1b
特长 具备加强绝缘5,000V 1a1b型

截至2024年11月24日
为了改善本产品,会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQW612EHA
型号 AQW612EHA
产品名称 GE 1a1b
类型 GE
封装 DIP8
电压类型 AC/DC
输出构成 1a1b
端子形状 表面安装端子
包装方式 管装包装
包装数量
内箱 (管装包装) (个)
50
包装数量
外箱 (个)
500
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
最大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 60V
连续负载电流 [ IL ] 0.5A
峰值负载电流 [ Ipeak ] 1.5A
输出损耗 [ Pout ] 800mW
全部允许损耗 [ Pt ] 850mW
耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃~+85℃
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃~+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
动作LED电流(平均) 1.4mA (N.C.) (N.O.)
动作LED电流(最大) 3mA (N.C.) (N.O.)
复位LED电流(最小) 0.4mA (N.C.) (N.O.)
复位LED电流(平均) 1.3mA (N.C.) (N.O.)
LED压降(平均) [ VF ] 1.25V
LED压降(最大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 1 Ω
导通电阻(最大) [ Ron ] 2.5 Ω
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] 1μA (N.O.), 10μA (N.C.)
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 1.0ms (N.O.), 3.0ms (N.C.)
动作时间(最大) 4.0ms (N.O.), 10.0ms (N.C.)
复位时间(平均) 0.05ms (N.O.), 0.2ms (N.C.)
复位时间(最大) 1.0ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] 最大:48V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] 最大:0.6A (1ch), 0.5A (2ch)

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标准认证信息

标准名称 取得情况 符合信息 多个产品认证书索取
UL

取得

认证书索取
文件№ E191218
额定 UL Recognized
600mA channel 1
500mA channel 2
备注 Device rating
1-pole 0.6A 60V AC(peak)
0.6A 60V DC
2-pole 0.5A 60V AC(peak)
0.5A 60V DC
更新日期 2024年5月22日
VDE

取得

认证书索取
文件№ Nr.40051981
额定 -
备注 -
更新日期 2021年10月12日
产品刻印 ※ 无产品刻印

※ 符合的标准会刻印在产品上。但是也存在符合的标准不刻印在产品上的情况。


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