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AQW414EHA | PhotoMOS GE 2b


PhotoMOS GE 2b

※产品实际尺寸以实物为准。

  • RoHS指令 符合EU RoHS指令2011/65 / EU的6种物质和EU RoHS指令2015/863 / EU的4种物质所要求的标准。  
  • RoHS证书下载


订货产品号 AQW414EHA
型号 AQW414EHA
详细 表面安装端子,管装包装,负载电压:400 V
产品名称 PhotoMOS GE 2b
特长 具备加强绝缘5,000V 2b型

截至2024年07月14日
为了改善本产品,会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。

规格详细

项目 内容
订货产品号 AQW414EHA
型号 AQW414EHA
产品名称 GE 2b
类型 GE
封装 DIP8
电压类型 AC/DC
输出构成 2b
端子形状 表面安装端子
包装方式 管装包装
包装数量
内箱 (管装包装) (个)
50
包装数量
外箱 (个)
500
LED电流 [ IF ] 50mA
LED反向电压 [ VR ] 5V
最大正向电流 [ IFP ] 1A
部允许损耗 [ Pin ] 75mW
负载电压 [ VL ] 400V
连续负载电流 [ IL ] 0.1A
峰值负载电流 [ Ipeak ] 0.3A
输出损耗 [ Pout ] 800mW
全部允许损耗 [ Pt ] 850mW
耐电压 [ Viso ] 5,000Vrms
使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] -40℃~+85℃
使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] -40℃~+100℃
接合部温度 [ Tj ] 125℃
动作LED电流(平均) 1.3mA
动作LED电流(最大) 3mA
复位LED电流(最小) 0.4mA
复位LED电流(平均) 1.2mA
LED压降(平均) [ VF ] 1.25V
LED压降(最大) [ VF ] 1.5V
导通电阻(平均) [ Ron ] 26 Ω
导通电阻(最大) [ Ron ] 35 Ω
开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] 10μA
过电流保护功能 无功能
动作时间(平均) 0.8ms
动作时间(最大) 3ms
复位时间(平均) 0.2ms
复位时间(最大) 1ms
输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] 0.8pF
输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] 1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] 1,000 M ohm
[推荐动作条件] LED电流 [ IF ] 最小:5mA 最大:30mA
[推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] 最大:320V
[推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] 最大:0.13A (1ch), 0.1A (2ch)

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标准认证信息

标准名称 取得情况 符合信息 多个产品认证书索取
UL

取得

认证书索取
文件№ E191218
额定 UL Recognized
600mA channel 1
500mA channel 2
备注 Device rating
1-pole 0.13A 400V AC(peak)
0.13A 400V DC
2-pole 0.1A 400V AC(peak)
0.1A 400V DC
更新日期 2022年3月3日
VDE

取得

认证书索取
文件№ Nr.40051981
额定 -
备注 -
更新日期 2021年10月12日
产品刻印 ※ 无产品刻印

※ 符合的标准会刻印在产品上。但是也存在符合的标准不刻印在产品上的情况。


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