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AQV412EH | PhotoMOS GE 1b (6脚型)
截至2024年11月24日
为了改善本产品，会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。
规格详细
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货产品号 | AQV412EH |
| 型号 | AQV412EH |
| 产品名称 | GE 1b |
| 类型 | GE |
| 封装 | DIP6 |
| 电压类型 | AC/DC |
| 输出构成 | 1b |
| 端子形状 | 标准P/C板端子 |
| 包装方式 | 管装包装 |
| 包装数量 内箱 (管装包装) (个) |
50 |
| 包装数量 外箱 (个) |
500 |
| LED电流 [ IF ] | 50mA |
| LED反向电压 [ VR ] | 5V |
| 最大正向电流 [ IFP ] | 1A |
| 部允许损耗 [ Pin ] | 75mW |
| 负载电压 [ VL ] | 60V |
| 连续负载电流 [ IL ] | 0.55A |
| 峰值负载电流 [ Ipeak ] | 1.5A |
| 输出损耗 [ Pout ] | 500mW |
| 全部允许损耗 [ Pt ] | 550mW |
| 耐电压 [ Viso ] | 5,000Vrms |
| 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40℃～+85℃ |
| 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40℃～+100℃ |
| 接合部温度 [ Tj ] | 125℃ |
| 动作LED电流(平均) | 1.9mA |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA |
| 复位LED电流(平均) | 1.8mA |
| LED压降(平均) [ VF ] | 1.25V |
| LED压降(最大) [ VF ] | 1.5V |
| 导通电阻(平均) [ Ron ] | 1 Ω |
| 导通电阻(最大) [ Ron ] | 2.5 Ω |
| 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 10μA |
| 过电流保护功能 | 无功能 |
| 动作时间(平均) | 3ms |
| 动作时间(最大) | 8ms |
| 复位时间(平均) | 0.3ms |
| 复位时间(最大) | 1.5ms |
| 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
| 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
| [推荐动作条件] LED电流 [ IF ] | 最小：5mA 最大：30mA |
| [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大：48V |
| [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大：0.55A |
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