CMOS型微型激光位移传感器 HG-C1000L

基本信息

用途

种类

可选件

规格

尺寸图

回路・连接

使用注意事项

规格

种类		测量中心 30mm型	测量中心 50mm型	测量中心 100mm型	测量中心 200mm型	测量中心 400mm型
型号	散线	HG-C1030L3-P	HG-C1050L3-P	HG-C1100L3-P	HG-C1200L3-P	HG-C1400L3-P
型号	M12连接器	HG-C1030L3-P-J	HG-C1050L3-P-J	HG-C1100L3-P-J	HG-C1200L3-P-J	HG-C1400L3-P-J
适用标准及认证		CE标志(EMC指令、RoHS指令)、UKCA标志(EMC标准、RoHS标准)、FDA标准、UL/c-UL认证
测量中心距离		30mm	50mm	100mm	200mm	400mm
测量范围		±5mm	±15mm	±35mm	±80mm	±200mm
重复精度		10μm	30μm	70μm	200μm	300μm (测量距离200～400mm) 800μm (测量距离400～600mm)
直线性		±0.1%F.S.			±0.2%F.S.	±0.2%F.S. (测量距离200～400ｍｍ) ±0.3%F.S. (测量距离400～600ｍｍ)
温度特性		0.03%F.S./℃
光源		红色半导体激光　2级[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)]　最大输出：1mW、发光波峰波长：655nm
光束直径(注3)		约ø50μm	约ø70μm	约ø120μm	约ø300μm	约ø500μm
电源电压		24V DC±10%　脉动P-P10%
消耗电流		40mA以下(电源电压24V DC时)
通信输出 (C/Q) (注4)	IO-Link通信	IO-Link Specification V1.1
	传输速度	COM3(230.4kbps)
	过程数据	4byte
	最小循环时间	1.0ms
输出控制 (DO)		PNP开路集电极晶体管 • 最大流出电流：50mA • 外加电压：30V DC以下(控制输出和+V之间) • 剩余电压：1.5V以下(流出电流为50mA时) • 漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON / 非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动复位式)
响应时间		1.5ms / 5ms / 10ms　可切换
污损度		2
使用标高		2,000m以下
耐环境性	保护构造	IP67(IEC)
	使用环境温度	-10～+45℃(注意不可结露、结冰)、保存时：-20～+60℃
	使用环境湿度	35～85%RH、保存时：35～85%RH
	使用环境照度	白炽灯：受光面照度3,000ℓx以下
	耐振动	频率10～55Hz(1分钟周期)　双振幅1.5mm　XYZ各方向2小时
	耐冲击	加速度500m/s²(约50G)　XYZ各方向3次
电流		散线型：0.2mm² 4芯PVC电缆，长2m、 M12连接器型：0.2mm² 4芯带连接器PVC电缆，长0.3m
电缆延长		0.3mm²以上的电缆全长可延长至20m
材质		本体外壳：铝铸件前罩：丙烯基
重量		散线型：约30g(不含电缆)、约80g(含电缆)、 M12连接器型：约30g(不含电缆)、约50g(含电缆含)

(注1): 无指定时的测量条件为电源电压：24V DC、环境温度：+20℃、响应时间：10ms，测量中心距离模拟输出值。对象物体为白色陶瓷。

(注2): 本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。

(注3): 测量中心距离处的数值。以中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。
如果定义范围外有漏光，并且检测点范围的反射率高于检测点本身，则结果可能会受到影响。

(注4): 作为一般传感器使用时，通信输出(C/Q)与控制输出(DO)的动作相同。

(注1):	无指定时的测量条件为电源电压：24V DC、环境温度：+20℃、响应时间：10ms，测量中心距离模拟输出值。对象物体为白色陶瓷。
(注2):	本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。
(注3):	测量中心距离处的数值。以中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。如果定义范围外有漏光，并且检测点范围的反射率高于检测点本身，则结果可能会受到影响。
(注4):	作为一般传感器使用时，通信输出(C/Q)与控制输出(DO)的动作相同。