CMOS型微型激光位移传感器HG-C规格 | 松下电器机电（中国）有限公司控制机器

种类		测量中心距离200mm型	测量中心距离400mm型
型号	NPN 输出	HG-C1200	HG-C1400
型号	PNP 输出	HG-C1200-P	HG-C1400-P
符合规则及认证		CE认证（EMC指令、RoHS指令）、UKCA标志(EMC标准、RoHS标准)、FDA规则、UL/c-UL认证（注6）
测量中心距离		200mm	400mm
测量范围		±80mm	±200mm
重复精度		200μm	300μm(测量距离200～400mm) 800μm(测量距离400～600mm)
直线性		±0.2%F.S.	±0.2%F.S.(测量距离200～400mm) ±0.3%F.S.(测量距离400～600mm)
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光 2级[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)] 最大输出：1mW、投光波峰波长：655nm
光束直径 (注3)		约ø300μm	约ø500μm
电源电压		12～24V DC±10%　脉动P-P10%以下
消耗电流(注4)		40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出		<NPN输出型> NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下(控制输出-0V之间) ・剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) ・漏电流：0.1mA以下 <PNP输出型> PNP开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下(控制输出-+V之间) ・剩余电压：1.5V以下(流出电流50mA时) ・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	模拟电压输出	・输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	模拟电流输出(注5)	・输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ・输出阻抗：300Ω
反应时间		1.5ms／5ms／10ms　可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：+8～+V DC或开路有效：0～+1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入・输入条件无效：0～+0.6V DC或开路有效：+4～+V DC ・输入阻抗：约10kΩ
污损度		2
使用标高		2,000m以下
耐环境性	保护构造	IP67(IEC)
	使用环境温度	-10～+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时：-20～+60℃
	使用环境湿度	35%RH～85%RH、储存时：35%RH～85%RH
	使用环境照度	白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
	耐振动	耐久10～55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时
	耐冲击	耐久500m/s²(约50G) XYZ各方向3次
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆，长2m
延长电缆		0.3mm²以上电缆　最多延长至全长10m
材质		本体外壳：压铸铝　前罩：丙烯基
重量		本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆)

(注1): 未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。

(注2): 本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。

(注3): 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。

(注4): 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。
2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)

(注5): 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。

(注6): 自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。
(注4):	从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
(注5):	从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。
(注6):	自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

种类		测量中心距离30mm型	测量中心距离50mm型	测量中心距离100mm型
型号	NPN 输出	HG-C1030	HG-C1050	HG-C1100
型号	PNP 输出	HG-C1030-P	HG-C1050-P	HG-C1100-P
符合规则及认证		CE认证（EMC指令、RoHS指令）、UKCA标志(EMC标准、RoHS标准)、FDA规则、UL/c-UL认证（注6）
测量中心距离		30mm	50mm	100mm
测量范围		±5mm	±15mm	±35mm
重复精度		10μm	30μm	70μm
直线性		±0.1% F.S.
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光　2级[IEC/EN/JIS/GB/KS/FDA(注2)] 最大输出：1mW、投光波峰波长：655nm
光束直径（注3）		约ø50μm	约ø70μm	约ø120μm
电源电压		12～24V DC±10%　脉动P-P10%以下
消耗电流（注4）		40mA以下（电源电压24V DC时）65mA以下（电源电压12V DC时）
控制输出		〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出-0V之间）・剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA时）・漏电流：0.1mA以下〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管・最大源电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出-＋V之间）・剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA时）・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	模拟电压输出	・输出范围：0～5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	模拟电流输出(注5)	・输出范围：4～20mA(报警时：0mA) ・输出阻抗：300Ω
反应时间		1.5ms／5ms／10ms 可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：＋8～＋V DC或开路有效：0～＋1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入・输入条件无效：0～＋0.6V DC或开路有效：＋4～＋V DC ・输入阻抗：约10kΩ
污损度		2
使用标高		2,000m以下
耐环境性	保护构造	IP67(IEC)
	使用环境温度	－10～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时20～＋60℃
	使用环境湿度	35%RH～85%RH，存储时：35%RH～85%RH
	使用环境照度	白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆，长2m
材质		本体外壳：压铸铝　前罩：丙烯基
重量		本体重量：约35g(不含电缆)，约85g(含电缆)

(注1): 未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。

(注2): 本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。

(注3): 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。

(注4): 从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。
2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)

(注5): 从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。

(注6): 自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC 环境温度：+20℃ 响应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	本产品根据Laser Notice No.56规定，除了符合IEC 60825-1 Ed.3之外，还符合FDA标准（FDA 21 CFR 1040.10和1040.11）。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。
(注4):	从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。 2016年5月前生产的产品： 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
(注5):	从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。
(注6):	自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

种类		测量中心距离50mm型
型号	NPN 输出	HG-C1050L
型号	PNP 输出	HG-C1050L-P
符合规则及认证		CE标志(EMC指令、RoHS指令)、UKCA标志(EMC标准、RoHS标准)、UL/c-UL认证（注4）
测量中心距离		50mm
测量范围		±4mm
重复精度		20μm
直线性		±0.3% F.S.
温度特性		0.03% F.S./℃
光源		红色半导体激光　1级(JIS/IEC/GB) 最大输出：0.2mW、发光光束波长：655nm
光束直径（注2）		约ø150μm
受光元件		CMOS图形传感器
电源电压		12V～24V DC±10%　脉动P-P10%
消耗电流		40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)
控制输出		〈NPN输出型〉 NPN开路集电极晶体管・最大流入电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出和0V之间）・剩余电压：1.5V以下（流入电流50mA下）・漏电流：0.1mA以下〈PNP输出型〉 PNP开路集电极晶体管・最大源电流：50mA ・外加电压：30V DC以下（控制输出和＋V之间）・剩余电压：1.5V以下（流出电流50mA下）・漏电流：0.1mA以下
	输出动作	入光时ON/非入光时ON　可切换
	短路保护	配备(自动恢复)
模拟输出	电压	・输出范围：0V~5V(报警时：+5.2V) ・输出阻抗：100Ω
模拟输出	电流	・输出范围：4mA~20mA(报警时：0mA) ・负载阻抗：300Ω最大
反应时间		1.5ms/5ms/10ms 可切换
外部输入		〈NPN输出型〉 NPN无接点输入・输入条件无效：＋8V～＋V DC或者开放有效：0V～＋1.2V DC ・输入阻抗：约10kΩ <PNP输出型> PNP无接点输入・输入条件无效：0V～＋0.6V DC或者开放有效：＋4～＋V DC ・输入阻抗：约10kΩ
保护构造		IP67(IEC)
污染度		2
使用环境温度		－10℃～＋45℃（注意不可结露、结冰）、存储时：－20℃～＋60℃
使用环境湿度		35%RH～85%RH、存储时：35%RH～85%RH
使用环境照度		白炽灯：受光面照度3,000 lx以下
使用标高		2,000m以下
电缆		0.2mm² 5芯复合电缆长2m
材质		本体外壳：铝铸件前面盖板：丙烯基
重量		约35g(不含电缆)、约85g(含电缆)
适用规格		符合EMC指令

(注1): 未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC、环境温度：+20℃、反应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。

(注2): 该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。

(注3): 测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。
如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。

(注4): HL-C1050L(-P)自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

(注1):	未指定测量条件时，使用条件如下：电源电压：24V DC、环境温度：+20℃、反应时间：10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体：白色陶瓷。
(注2):	该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，检测结果可能会受到影响。
(注3):	测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e²(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光，并且检测点范围有高于检测点本身的强反射，测定结果可能会受到影响。
(注4):	HL-C1050L(-P)自2017年3月生产的产品开始符合UL/c-UL认证。

CMOS型微型激光位移传感器HG-C

规格

关联视频