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AQW610EHAZ | PhotoMOS GE 1a1b
| 订货产品号 | AQW610EHAZ |
| 型号 | AQW610EHAZ |
| 详细 | 表面安装端子，盘装包装(Z)，负载电压:350 V |
| 产品名称 | PhotoMOS GE 1a1b |
| 特长 | 具备加强绝缘5,000V 1a1b型 |
截至2024年04月16日
为了改善本产品，会有在未事先通知的情况下变更本产品的规格及设计的情况。
规格详细
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 订货产品号 | AQW610EHAZ |
| 型号 | AQW610EHAZ |
| 产品名称 | GE 1a1b |
| 类型 | GE |
| 封装 | DIP8 |
| 电压类型 | AC/DC |
| 输出构成 | 1a1b |
| 端子形状 | 表面安装端子 |
| 包装方式 | 盘装包装(Z) |
| 包装数量 内箱 (盘装包装) (个) |
1,000 |
| 包装数量 外箱 (个) |
1,000 |
| LED电流 [ IF ] | 50mA |
| LED反向电压 [ VR ] | 5V |
| 最大正向电流 [ IFP ] | 1A |
| 部允许损耗 [ Pin ] | 75mW |
| 负载电压 [ VL ] | 350V |
| 连续负载电流 [ IL ] | 0.12A |
| 峰值负载电流 [ Ipeak ] | 0.36A |
| 输出损耗 [ Pout ] | 800mW |
| 全部允许损耗 [ Pt ] | 850mW |
| 耐电压 [ Viso ] | 5,000Vrms |
| 使用环境温度: 动作温度 [ Topr ] | -40°C～+85°C |
| 使用环境温度: 保存温度 [ Tstg ] | -40°C～+100°C |
| 接合部温度 [ Tj ] | 125°C |
| 动作LED电流(平均) | 1.4mA (N.C.) (N.O.) |
| 动作LED电流(最大) | 3mA (N.C.) (N.O.) |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA (N.C.) (N.O.) |
| 复位LED电流(平均) | 1.3mA (N.C.) (N.O.) |
| LED压降(平均) [ VF ] | 1.25V |
| LED压降(最大) [ VF ] | 1.5V |
| 导通电阻(平均) [ Ron ] | 18 ohm |
| 导通电阻(最大) [ Ron ] | 25 ohm |
| 开路状态漏电流(最大) [ ILeak ] | 1μA (N.O.), 10μA (N.C.) |
| 过电流保护功能 | 无功能 |
| 动作时间(平均) | 0.5ms (N.O.), 1.0ms (N.C.) |
| 动作时间(最大) | 3.0ms |
| 复位时间(平均) | 0.08ms (N.O.), 0.3ms (N.C.) |
| 复位时间(最大) | 1.0ms |
| 输入/输出间端子容量(平均) [ Ciso ] | 0.8pF |
| 输入/输出间端子容量(最大) [ Ciso ] | 1.5pF |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) [ Riso ] | 1,000 M ohm |
| [推荐动作条件] LED电流 [ IF ] | 最小：5mA 最大：30mA |
| [推荐动作条件] 负载电压 [ VL ] | 最大：280V |
| [推荐动作条件] 连续负载电流 [ IL ] | 最大：0.14A (1ch), 0.12A (2ch) |
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