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PhotoMOS HE 1a1b


低导通电阻和经济性两者兼备的1a1b型

RoHS規格 UL Recognaized

UL 已取得。

特点

1.负载电压 400V

2.低导通电阻(typ.11Ω)

3.耐电压 1,500V AC

4.输出构成:1a1b

用途

1.安防设备

2.数据通信设备

3.电话设备

4.传感器设备

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